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STD2HNK60Z产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD2HNK60Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD2HNK60Z价格参考¥1.38-¥1.52。STMicroelectronicsSTD2HNK60Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 45W(Tc) DPAK。您可以下载STD2HNK60Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD2HNK60Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STD2HNK60Z 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括以下领域: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):STD2HNK60Z 的高耐压特性(600V)使其非常适合用于开关电源的设计中,能够高效地控制电压和电流的转换。 - 直流-直流转换器 (DC-DC Converter):在降压或升压电路中作为开关元件使用,提供稳定的输出电压。 - 电池充电器:适用于各种电池充电器电路,确保高效的电能传输和保护。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:可用于驱动小型直流电机、步进电机或伺服电机,实现速度和方向的精确控制。 - 电磁阀驱动:在工业自动化设备中,用于控制电磁阀的开启和关闭。 3. 照明系统 - LED 驱动器:在大功率 LED 照明应用中,用作电流调节器件,确保 LED 的亮度稳定。 - 电子镇流器:在荧光灯或 HID(高强度放电)灯中,用于启动和稳定灯的工作状态。 4. 家电与消费电子 - 家用电器:如洗衣机、空调、冰箱等设备中的风扇控制、压缩机启动等场景。 - 音频放大器:在功率放大器中作为开关或输出级元件,提供高效率的信号放大。 5. 工业应用 - 逆变器:在太阳能逆变器或 UPS(不间断电源)中,用于将直流电转换为交流电。 - 负载切换:在工业控制系统中,用于快速切换高电压负载,保护电路免受过载或短路的影响。 6. 汽车电子 - 车载电子设备:如电动窗户、座椅调节、雨刷控制等,利用其高可靠性和耐高压性能。 - 车载逆变器:将汽车电池的直流电转换为家用电器可用的交流电。 特性总结 STD2HNK60Z 具有低导通电阻(典型值为 0.7 Ω)、高击穿电压(600V)和较高的连续漏极电流(11A),适合需要高效能量转换和高可靠性的工作环境。此外,其 TO-220 封装形式便于散热设计,进一步拓宽了其应用范围。 总之,这款 MOSFET 广泛应用于需要高电压、大电流处理能力的各类电子设备中,特别是在电源管理和电机驱动领域表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2A DPAKMOSFET N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD2HNK60ZSuperMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD2HNK60Z |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.8 欧姆 @ 1A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-6192-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF81377?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Tc) |
| 系列 | STD2HNK60Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |