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  • 型号: STD2HNK60Z
  • 制造商: STMicroelectronics
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STD2HNK60Z产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD2HNK60Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD2HNK60Z价格参考¥1.38-¥1.52。STMicroelectronicsSTD2HNK60Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 45W(Tc) DPAK。您可以下载STD2HNK60Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD2HNK60Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STD2HNK60Z 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括以下领域:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):STD2HNK60Z 的高耐压特性(600V)使其非常适合用于开关电源的设计中,能够高效地控制电压和电流的转换。
   - 直流-直流转换器 (DC-DC Converter):在降压或升压电路中作为开关元件使用,提供稳定的输出电压。
   - 电池充电器:适用于各种电池充电器电路,确保高效的电能传输和保护。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:可用于驱动小型直流电机、步进电机或伺服电机,实现速度和方向的精确控制。
   - 电磁阀驱动:在工业自动化设备中,用于控制电磁阀的开启和关闭。

 3. 照明系统
   - LED 驱动器:在大功率 LED 照明应用中,用作电流调节器件,确保 LED 的亮度稳定。
   - 电子镇流器:在荧光灯或 HID(高强度放电)灯中,用于启动和稳定灯的工作状态。

 4. 家电与消费电子
   - 家用电器:如洗衣机、空调、冰箱等设备中的风扇控制、压缩机启动等场景。
   - 音频放大器:在功率放大器中作为开关或输出级元件,提供高效率的信号放大。

 5. 工业应用
   - 逆变器:在太阳能逆变器或 UPS(不间断电源)中,用于将直流电转换为交流电。
   - 负载切换:在工业控制系统中,用于快速切换高电压负载,保护电路免受过载或短路的影响。

 6. 汽车电子
   - 车载电子设备:如电动窗户、座椅调节、雨刷控制等,利用其高可靠性和耐高压性能。
   - 车载逆变器:将汽车电池的直流电转换为家用电器可用的交流电。

 特性总结
STD2HNK60Z 具有低导通电阻(典型值为 0.7 Ω)、高击穿电压(600V)和较高的连续漏极电流(11A),适合需要高效能量转换和高可靠性的工作环境。此外,其 TO-220 封装形式便于散热设计,进一步拓宽了其应用范围。

总之,这款 MOSFET 广泛应用于需要高电压、大电流处理能力的各类电子设备中,特别是在电源管理和电机驱动领域表现尤为突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 2A DPAKMOSFET N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2 A

Id-连续漏极电流

2 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD2HNK60ZSuperMESH™

数据手册

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产品型号

STD2HNK60Z

Pd-PowerDissipation

45 W

Pd-功率耗散

45 W

Qg-GateCharge

11 nC

Qg-栅极电荷

11 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.8 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4.8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

30 ns

下降时间

50 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

280pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.8 欧姆 @ 1A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

497-6192-2

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF81377?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

13 ns

功率-最大值

45W

包装

带卷 (TR)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2A (Tc)

系列

STD2HNK60Z

通道模式

Enhancement

配置

Single

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