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产品简介:
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NVD6414ANT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和功率控制的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源适配器、负载开关等,具备低导通电阻(Rds(on))特性,有助于提高能效并减少发热。 2. 电机控制:可用于直流电机驱动电路中,实现对电机启停、转速及方向的精确控制,适合工业自动化设备和电动工具。 3. 汽车电子:该器件符合AEC-Q101汽车级标准,适用于汽车电源系统、车载充电器、LED照明驱动等场景。 4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑、智能家电等设备中的功率开关和电池管理系统。 5. 工业控制系统:用于工业自动化设备中的继电器替代、固态开关及保护电路中,具备高可靠性和长寿命优势。 该MOSFET采用表面贴装封装(如DPAK),便于自动化装配和良好散热,适合高频率开关应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 34A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVD6414ANT4G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1450pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 37 毫欧 @ 32A,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 100W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Tc) |