Datasheet下载- 型号： TJ15P04M3,RQ(S
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TJ15P04M3,RQ(S由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TJ15P04M3,RQ(S价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TJ15P04M3,RQ(S封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TJ15P04M3,RQ(S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TJ15P04M3,RQ(S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的型号TJ15P04M3,RQ(S)是一款P沟道MOSFET晶体管，主要应用于需要高效功率管理与控制的电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热稳定性的特点，适用于以下场景： 1. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、负载开关或电池供电设备中的电源控制，提升能效并延长电池寿命。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，实现对电机启停及转速的精确控制。 3. 汽车电子：如车载充电系统、照明控制、电动窗或座椅调节系统中，满足车用环境对可靠性和稳定性的高要求。 4. 工业自动化：用于PLC、继电器替代方案或工业控制设备中，实现对高电压或大电流负载的快速、安全控制。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的电源管理模块，支持高效节能运行。 该MOSFET采用小型封装，适合高密度PCB布局，适用于需要节省空间的设计。其RQ(S)后缀表明为符合环保标准的无铅产品，适用于注重可持续性的应用。总体而言，TJ15P04M3,RQ(S)是一款适用于中低功率场景的高性能功率MOSFET。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 15A DPAK-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TJ15P04M3点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TJ15P04M3,RQ(S |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 36 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | TJ15P04M3RQ(S |
| 功率-最大值 | 29W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Ta） |
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