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- 型号： NVMFS5885NLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFS5885NLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFS5885NLT1G价格参考。ON SemiconductorNVMFS5885NLT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVMFS5885NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVMFS5885NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVMFS5885NLT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好热性能，适用于需要高效能和紧凑设计的系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，用于高效能功率转换。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，提供快速开关和低损耗。 3. 负载开关：用于控制电源对负载的供给，如在电池管理系统中作为开关元件。 4. LED照明驱动：用于恒流驱动或调光控制电路中，具备良好的稳定性和效率。 5. 工业自动化与控制设备：适用于工业控制系统中的功率开关，如PLC模块、传感器供电控制等。 6. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑、智能家电等设备中的电源管理模块。 该MOSFET采用T1′封装（如PowerPAK® 8x8），具备良好的散热能力，适合高电流应用，且符合RoHS环保标准，适用于广泛领域的高效能功率控制设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 39A SO8FLMOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 39 A |
| Id-连续漏极电流 | 39 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVMFS5885NLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVMFS5885NLT1G |
| Pd-PowerDissipation | 54 W |
| Pd-功率耗散 | 54 W |
| Qg-GateCharge | 21 nC |
| Qg-栅极电荷 | 21 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.5 V |
| 上升时间 | 64 ns |
| 下降时间 | 52 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 功率耗散 | 54 W |
| 包装 | * |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 15.2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 21 nC |
| 标准包装 | 1,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 39 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.2A （Ta） |
| 系列 | NVMFS5885NL |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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