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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCP600N60Z由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCP600N60Z价格参考。Fairchild SemiconductorFCP600N60Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FCP600N60Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCP600N60Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCP600N60Z 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件主要应用于高电压和高电流场合,具有低导通电阻和高耐压特性。 其典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动电路:适用于无刷直流电机、步进电机等驱动系统,提供高效率和快速开关性能。 3. 逆变器系统:常见于UPS(不间断电源)和太阳能逆变器中,实现直流电到交流电的高效转换。 4. 工业自动化设备:作为功率开关用于控制高功率负载,如加热元件、电磁阀等。 5. 电动汽车相关应用:可用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)中的功率控制部分。 该MOSFET具备600V耐压和60A电流能力,适合中高功率应用,同时其封装形式(如TO-247)便于散热和安装,广泛用于工业和消费类电力电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220FMOSFET 600V N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 4.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCP600N60ZSuperFETII® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCP600N60Z |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Qg-GateCharge | 26 nC |
| Qg-栅极电荷 | 26 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1120pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 3.7A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 88 ns |
| 功率-最大值 | 89W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 600 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 6.7 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 650 V |
| 漏极连续电流 | 4.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-semiconductor-superfet-mosfets/4170 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.4A (Tc) |
| 系列 | FCP600 |