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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IPP040N06NAKSA1的MOSFET,属于功率场效应晶体管(FET),具有低导通电阻、高效率和快速开关特性。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器和开关电源(SMPS)中,以提高能源转换效率并减小体积。 2. 电机驱动:适用于无刷直流电机(BLDC)驱动器及电动工具、电动车等场合,提供高效能与稳定控制。 3. 工业自动化:用于工业控制系统中的功率开关,如PLC、伺服驱动器和变频器等设备。 4. 汽车电子:因其高可靠性和符合AEC-Q101标准,常见于车载充电系统、电池管理系统(BMS)及车身控制模块。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、智能家电中的功率控制电路。 该器件采用PG-TDSON封装,具备良好的热性能与空间利用率,适合高密度PCB布局设计。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET MV POWER MOS |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP040N06NAKSA1 |
| 产品型号 | IPP040N06NAKSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 107 W |
| Pd-功率耗散 | 107 W |
| Qg-GateCharge | 38 nC |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.8 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 4 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 120 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 80 A |
| 系列 | IPP040N06 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000959820 |