数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR310PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR310PBF价格参考。VishayIRFR310PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR310PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR310PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR310PBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件常用于需要高效、高速开关性能的电力电子系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电源适配器中,用于提高转换效率并减小电源体积。 2. 电机控制:在直流电机驱动和步进电机控制电路中作为功率开关使用,具有快速响应和低导通电阻的优点。 3. 负载开关:用于电池供电设备中的负载切换控制,如笔记本电脑、平板和工业控制系统。 4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器中用作高频开关元件,实现电能形式的转换。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、电动工具及汽车电机控制器等场景。 该器件采用 TO-220 封装,具备良好的散热能力和较高的可靠性,适合中高功率应用。由于其栅极驱动简单、导通损耗低,是许多数字电源和嵌入式系统设计中的常用元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAKMOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR310PBF- |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91272 |
产品型号 | IRFR310PBFIRFR310PBF |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.6 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 9.9 ns |
下降时间 | 11 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 欧姆 @ 1A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 400V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.7A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |