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产品简介:
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FDP2570 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET器件,常用于需要高效能功率转换与控制的场合。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等特点,适用于多种电源管理和功率电子应用。 主要应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,用于提高转换效率和减小体积。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机控制电路中作为开关元件,实现对电机速度和方向的调节。 3. 负载开关:用于控制大功率负载的通断,如LED照明、加热元件等。 4. 逆变器系统:在UPS(不间断电源)或太阳能逆变器中作为核心开关元件。 5. 汽车电子:如车载充电系统、电机控制模块等,因其具备较高的可靠性和耐环境能力。 FDP2570凭借其优良的热稳定性和开关性能,在高效率、高密度电源设计中具有广泛应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 22A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FDP2570 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1911pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 80 毫欧 @ 11A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 93W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Ta) |