图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: STB20NM50T4
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

STB20NM50T4产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STB20NM50T4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB20NM50T4价格参考。STMicroelectronicsSTB20NM50T4封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 550V 20A(Tc) 192W(Tc) D2PAK。您可以下载STB20NM50T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB20NM50T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

STB20NM50T4

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

MDmesh™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1480pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

56nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

250 毫欧 @ 10A,10V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

497-5312-2
Q1966796
STB20NM50T4-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67112?referrer=70071840

功率-最大值

192W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

550V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Tc)

STB20NM50T4 相关产品

DMN4060SVT-7

品牌:Diodes Incorporated

价格:

IXTT16P60P

品牌:IXYS

价格:

TPN7R506NH,L1Q

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

IPP057N08N3GXKSA1

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRF740ASTRLPBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

STP180NS04ZC

品牌:STMicroelectronics

价格:

FQPF20N06L

品牌:ON Semiconductor

价格:

NDP4060L

品牌:ON Semiconductor

价格: