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Datasheet下载- 型号： STB20NM50T4
- 制造商： STMicroelectronics
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STB20NM50T4产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB20NM50T4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB20NM50T4价格参考。STMicroelectronicsSTB20NM50T4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 550V 20A（Tc） 192W（Tc） D2PAK。您可以下载STB20NM50T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB20NM50T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号STB20NM50T4是一款N沟道MOSFET，其应用场景广泛，主要应用于需要高效功率转换和开关操作的电子设备中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理：STB20NM50T4适用于各种开关模式电源（SMPS）设计，包括直流-直流转换器、交流-直流适配器等。它的低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动：在无刷直流电机（BLDC）或步进电机驱动中，这款MOSFET可以作为功率级开关使用，实现高效的PWM控制，适用于家电、电动工具及工业自动化领域。 3. 太阳能逆变器：用于光伏系统中的微逆变器或功率优化器，帮助实现能量的最大化提取（MPPT功能），同时确保高效率的能量转换。 4. 负载切换与保护：在汽车电子、通信设备及消费类电子产品中，可用于负载的快速切换以及过流、短路保护电路，保障系统的稳定运行。 5. 不间断电源（UPS）：在备用电源系统中，该器件可参与逆变过程，将电池存储的直流电转化为交流电输出给终端设备使用。 6. 音频功放：部分D类放大器设计也会采用此类高性能MOSFET作为输出级元件，以提供更大的功率输出并降低失真。 7. 电动车充电设施：在电动汽车充电桩内部，该MOSFET可用于功率因数校正（PFC）阶段和主功率变换模块，支持快速充电需求。 总之，凭借其出色的电气性能参数（如耐压500V、连续漏极电流达20A等），STB20NM50T4非常适合要求严苛的工业、汽车及消费类应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB20NM50T4 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1480pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-5312-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67112?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 192W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 550V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
