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Datasheet下载- 型号： SI4438DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4438DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4438DY-T1-E3价格参考。VishaySI4438DY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 36A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO。您可以下载SI4438DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4438DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4438DY-T1-E3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于需要高效、低损耗开关操作的场景。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：在各种电源管理系统中，如降压或升压转换器，SI4438DY-T1-E3可以作为开关元件，用于高效地调节输出电压。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高效率。 - 负载开关：该MOSFET可以用作负载开关，控制电路中不同部分的供电状态，确保设备在待机或关闭时功耗最小化。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于驱动小型直流电机或步进电机，尤其是在电池供电的应用中，如电动工具、玩具和消费电子产品。MOSFET的快速开关能力和低导通电阻有助于实现高效的电机控制。 3. 电池保护 - 锂电池保护电路：在便携式电子设备中，如手机、平板电脑和笔记本电脑，SI4438DY-T1-E3可用于电池保护电路，防止过充、过放和短路等异常情况，确保电池的安全性和延长使用寿命。 4. 信号切换 - 模拟信号切换：在音频设备、测试仪器和其他需要精确信号切换的应用中，该MOSFET可以用于高速切换模拟信号路径，确保信号完整性的同时降低噪声干扰。 5. 汽车电子 - 车身控制模块：在汽车电子系统中，如车窗升降、座椅调节等，MOSFET可以用作执行器的驱动元件，提供可靠的开关功能。 - LED驱动：用于驱动汽车内外的LED灯，确保灯光系统的稳定性和高效性。 6. 工业自动化 - 传感器接口：在工业控制系统中，MOSFET可以用于传感器接口电路，实现对传感器信号的快速响应和隔离保护。 - 继电器替代：由于其固态特性，MOSFET可以替代传统的机械继电器，减少维护成本并提高系统的可靠性。 总之，SI4438DY-T1-E3凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，广泛应用于各种需要高效开关操作的场景，特别是在便携式设备、电源管理和电机控制等领域表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOICMOSFET 30V 36A 7.8W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 36 A |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4438DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4438DY-T1-E3SI4438DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 210 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4645pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 126nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 功率-最大值 | 7.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 86 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 36A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4438DY-E3 |
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