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FDP054N10产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP054N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP054N10价格参考。Fairchild SemiconductorFDP054N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB。您可以下载FDP054N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP054N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的FDP054N10是一款N沟道增强型MOSFET,具有100V的耐压能力、低导通电阻(Rds(on))以及高电流处理能力。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源 (SMPS) - FDP054N10适用于各种开关电源设计,例如降压(Buck)、升压(Boost)、反激(Flyback)和正激(Forward)拓扑。 - 其低导通电阻特性可降低功率损耗,提高效率,特别适合中小功率范围的应用。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,该MOSFET可用作开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。 - 高速开关能力和低功耗使其在高效电机驱动电路中表现出色。 3. DC-DC转换器 - 作为同步整流器或主开关管,用于设计高效的DC-DC转换器。 - 常见于汽车电子、工业设备和消费类电子产品中的电压调节模块。 4. 负载开关 - 用作负载开关以控制电路中不同负载的供电状态,确保系统的稳定性和安全性。 - 特别适用于需要快速开启/关闭功能的应用场景。 5. 电池管理系统 (BMS) - 在电池保护电路中,FDP054N10可用于过流保护、短路保护和充放电控制。 - 它的低导通电阻有助于减少电池系统中的能量损失。 6. 逆变器 - 在小型逆变器中作为功率开关,将直流电转换为交流电,应用于家用电器或便携式设备。 7. LED驱动 - 用于大功率LED照明系统的恒流驱动电路中,提供高效的电流调节和保护功能。 8. 工业自动化 - 在工业控制领域,如可编程逻辑控制器 (PLC) 或传感器接口中,用作信号放大或负载切换的开关元件。 FDP054N10凭借其出色的性能参数和可靠性,广泛适用于多种电力电子应用,尤其在需要高效能、低热耗的场景下表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3MOSFET 100V N-Chan PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 144 A |
| Id-连续漏极电流 | 144 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP054N10PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP054N10 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 263 W |
| Pd-功率耗散 | 263 W |
| Qg-GateCharge | 156 nC |
| Qg-栅极电荷 | 156 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 92 ns |
| 下降时间 | 39 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 203nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.5 毫欧 @ 75A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 263W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.421 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 192 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 144 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
| 系列 | FDP054N10 |