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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP60N55F3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP60N55F3价格参考。STMicroelectronicsSTP60N55F3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP60N55F3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP60N55F3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STP60N55F3是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等,因其高效率和低导通电阻(Rds(on))特性,有助于提高电源系统的整体效率。 2. 电机驱动:用于直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中,提供快速开关能力和良好的热稳定性,适用于工业自动化和机器人控制。 3. 逆变器与变频器:在UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和变频家电中,该MOSFET可实现高效的电能转换和控制。 4. 汽车电子:由于其良好的耐压和过流能力,可用于汽车中的电动助力转向、车载充电系统、电池管理系统等。 5. 照明系统:适用于LED照明驱动电路,尤其是高功率LED应用,提供稳定高效的电流控制。 6. 消费类电子产品:如智能家电、电动工具、充电器等,作为关键的功率开关元件。 该MOSFET具有550V的漏源击穿电压,60A的连续漏极电流能力,适用于高电压和中高功率的应用场合。同时,其封装形式(如TO-220或D²PAK)便于散热和安装,增强了在各种环境下的可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220MOSFET N Ch 55V 6.5mohm 80A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP60N55F3STripFET™ III |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP60N55F3 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 11.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.5 毫欧 @ 32A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-7528-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF166001?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/497-8011-KIT/497-8011-KIT-ND/2340668 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |
| 系列 | STP60N55F3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |