ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > 2STF1360
Datasheet下载- 型号： 2STF1360
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2STF1360由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2STF1360价格参考。STMicroelectronics2STF1360封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 60V 3A 130MHz 1.4W 表面贴装 SOT-89-3。您可以下载2STF1360参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2STF1360 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的2STF1360是一款双极结型晶体管（BJT），属于NPN型单晶体管，主要用于高电流、高电压开关和放大应用。该器件具有较高的击穿电压和良好的热稳定性，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等严苛环境。 典型应用场景包括： 1. 电源开关电路：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中的功率开关元件，实现高效的电能转换。 2. 电机驱动：在小型电机或继电器驱动电路中作为控制开关，提供足够的电流增益和负载驱动能力。 3. 工业自动化设备：用于PLC模块、传感器接口电路中，进行信号放大或通断控制。 4. 照明系统：可用于高强度放电灯（HID）或LED驱动电路中的控制开关。 5. 消费类电源适配器：在充电器、家电电源模块中实现稳定可靠的开关功能。 2STF1360具备优良的饱和压降特性和较高的集电极电流承载能力，适合需要频繁开关操作和一定功率处理能力的应用。同时，其封装形式有利于散热，增强了在持续工作条件下的可靠性。由于其坚固的设计和STMicroelectronics一贯的高品质标准，该器件广泛应用于对安全性和稳定性要求较高的工业与消费电子领域。使用时需注意适当的基极驱动和散热设计，以确保最佳性能和寿命。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 80V 3A SOT-89两极晶体管 - BJT LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics 2STF1360- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2STF1360 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 150mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 1A，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | 497-5211-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF103547?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 1400 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | 2STF1360 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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