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  • 型号: IRFR3103TRR
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3103TRR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3103TRR价格参考。International RectifierIRFR3103TRR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR3103TRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR3103TRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFR3103TRR的MOSFET属于高性能功率场效应晶体管,广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景。该器件具备低导通电阻、高开关速度和良好热性能,适用于以下主要应用场景:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路中,提高能源效率并减小系统体积。

2. 电机控制:在电动工具、家用电器和工业自动化设备中驱动直流无刷电机,实现精准调速与节能。

3. 电池管理系统(BMS):用于电动汽车、储能系统及便携设备中,实现对充放电过程的高效控制与保护。

4. 照明系统:如LED驱动电源,利用其高频开关特性提升调光精度与系统稳定性。

5. 消费电子与工业设备:如电源适配器、UPS不间断电源及小型逆变器中,作为核心开关元件使用。

该MOSFET采用TO-252封装,便于散热与安装,适合中高功率应用。由于其良好的性能与可靠性,IRFR3103TRR被广泛应用于汽车电子、工业控制及绿色能源等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

产品图片

产品型号

IRFR3103TRR

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

170pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.6 欧姆 @ 1A,10V

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

400V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.7A (Ta)

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