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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3103TRR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3103TRR价格参考。International RectifierIRFR3103TRR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR3103TRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR3103TRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFR3103TRR的MOSFET属于高性能功率场效应晶体管,广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景。该器件具备低导通电阻、高开关速度和良好热性能,适用于以下主要应用场景: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路中,提高能源效率并减小系统体积。 2. 电机控制:在电动工具、家用电器和工业自动化设备中驱动直流无刷电机,实现精准调速与节能。 3. 电池管理系统(BMS):用于电动汽车、储能系统及便携设备中,实现对充放电过程的高效控制与保护。 4. 照明系统:如LED驱动电源,利用其高频开关特性提升调光精度与系统稳定性。 5. 消费电子与工业设备:如电源适配器、UPS不间断电源及小型逆变器中,作为核心开关元件使用。 该MOSFET采用TO-252封装,便于散热与安装,适合中高功率应用。由于其良好的性能与可靠性,IRFR3103TRR被广泛应用于汽车电子、工业控制及绿色能源等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFR3103TRR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 欧姆 @ 1A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 400V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.7A (Ta) |