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Datasheet下载- 型号： IXTP60N10T
- 制造商： IXYS
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IXTP60N10T产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTP60N10T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTP60N10T价格参考。IXYSIXTP60N10T封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 176W（Tc） TO-220AB。您可以下载IXTP60N10T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTP60N10T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTP60N10T是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效功率开关的场合。该器件具有低导通电阻、高耐压（100V）和大电流承载能力（60A），适合用于电源转换、电机控制、逆变器和DC-DC变换器等电力电子系统中。 IXTP60N10T常用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及各类高功率开关电源中。其优异的热稳定性和高可靠性也使其适用于工作环境较为严苛的工业和汽车电子应用。 此外，由于其封装形式为TO-220，便于散热和安装，因此在需要高效能和稳定性的中高功率应用中广泛受到青睐。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 60A TO-220MOSFET MOSFET Id60 BVdass100 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTP60N10TTrenchMV™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTP60N10T |
| Pd-PowerDissipation | 176 W |
| Pd-功率耗散 | 176 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2650pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 功率-最大值 | 176W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.300 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 42 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 系列 | IXTP60N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
