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IXFH24N90P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH24N90P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH24N90P价格参考。IXYSIXFH24N90P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 900V 24A(Tc) 660W(Tc) TO-247AD(IXFH)。您可以下载IXFH24N90P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH24N90P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH24N90P是一款N沟道MOSFET晶体管,具有以下关键特性与应用场景: 基本参数: - 耐压值:900V(漏源极击穿电压) - 连续漏极电流:24A - 导通电阻:1.8Ω(典型值,在特定条件下) - 封装形式:TO-247 应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - 该器件适用于高频开关电源设计,能够承受高电压和大电流,适合用于功率转换电路。 - 可用于隔离式DC-DC转换器、反激式变换器等。 2. 电机驱动 - IXFH24N90P可用于工业电机控制和驱动电路中,支持高效能的开关操作,满足高压电机启动和运行需求。 - 特别适合需要高耐压和低损耗的场合。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或UPS(不间断电源)系统中,作为功率开关元件使用,实现高效的能量转换。 - 高耐压能力使其能够在高压直流输入环境下稳定工作。 4. 功率因数校正(PFC) - 适用于升压型PFC电路,帮助提高系统的功率因数,减少谐波失真,提升整体效率。 5. 电子负载 - 可用于模拟动态负载的电子负载设备中,提供精确的电流调节和控制功能。 6. 继电器替代 - 在需要快速切换和高可靠性的应用中,可以替代传统机械继电器,减少磨损并提高响应速度。 特点总结: - 高耐压:900V的额定电压使其适合高压环境下的功率应用。 - 低导通电阻:在大电流条件下降低功耗,提高效率。 - 高可靠性:适用于工业级和商业级产品,确保长时间稳定运行。 综上所述,IXFH24N90P广泛应用于各种高压、大电流的电力电子设备中,是高性能功率转换和控制的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH TO-247MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH24N90PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH24N90P |
| Pd-PowerDissipation | 660 W |
| Pd-功率耗散 | 660 W |
| Qg-GateCharge | 130 nC |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 420 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 420 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V to 6.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V to 6.5 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 420 毫欧 @ 12A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD (IXFH) |
| 典型关闭延迟时间 | 68 ns |
| 功率-最大值 | 660W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ixys/polar_hiperfet_mosfets.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 24A (Tc) |
| 系列 | IXFH24N90 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |