【未分类_IRFR4510PBF】封装/厂家_IRFR4510PBF中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IRFR4510PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR4510PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR4510PBF价格参考。International RectifierIRFR4510PBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFR4510PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR4510PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFR4510PBF是一款N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   - 直流-直流转换器（DC-DC Converter）：用于降压或升压电路中，作为主开关器件，实现高效的电压转换。
   - 开关电源（SMPS）：在开关模式电源中充当高频开关，提供稳定的电流输出，同时降低功耗。
   - 负载开关：用于动态控制电路中的负载通断，确保设备安全启动和关闭。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制：适用于玩具、家用电器等场景中的电机驱动，通过PWM（脉宽调制）技术调节电机速度。
   - H桥电路：用于双向电机控制，支持正转和反转操作。

 3. 电池管理系统（BMS）
   - 电池保护电路：在锂电池或铅酸电池管理系统中，用作过流保护、短路保护和过充/过放保护的开关。
   - 电量监测：通过精确控制电流流动，协助监控电池状态。

 4. 汽车电子
   - 车载电子设备：如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制器等，利用其低导通电阻特性减少发热。
   - LED驱动：为汽车内外部LED灯提供恒定电流，确保亮度稳定。

 5. 消费电子产品
   - 充电器和适配器：在便携式设备的充电电路中，用作同步整流或开关元件。
   - 音频放大器：用于功率放大器的输出级，提高效率并减少失真。

 6. 工业自动化
   - 固态继电器（SSR）：替代传统机械继电器，实现更长寿命和更快响应时间。
   - 传感器接口：用于信号调理和驱动外部设备。

 7. 其他应用
   - 太阳能逆变器：在小型光伏系统中参与能量转换。
   - 通信设备：如基站电源模块中的开关元件。

IRFR4510PBF凭借其低导通电阻（典型值为10mΩ）、高漏源电压（VDS = 60V）和大电流能力（ID = 38A），非常适合上述需要高效能和高可靠性的应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N CH 100V 56A DPAKMOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	63 A
Id-连续漏极电流	63 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR4510PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFR4510PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	143 W
Pd-功率耗散	143 W
Qg-GateCharge	54 nC
Qg-栅极电荷	54 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	11.1 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	11.1 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2 V to 4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2 V to 4 V
上升时间	42 ns
下降时间	34 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3031pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	81nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	13.9 毫欧 @ 38A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
典型关闭延迟时间	42 ns
功率-最大值	143W
功率耗散	143 W
包装	管件
商标	International Rectifier
商标名	StrongIRFET
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	11.1 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	75
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	54 nC
标准包装	75
正向跨导-最小值	62 S
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	63 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	56A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	20 V