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FQP7N80C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP7N80C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP7N80C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP7N80C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 6.6A(Tc) 167W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP7N80C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP7N80C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP7N80C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FQP7N80C 的高电压耐受能力(800V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它能够高效地控制电力传输,适用于离线式电源适配器和 DC-DC 转换器。 2. 逆变器 - 在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中,FQP7N80C 可用作功率开关,将直流电转换为交流电。其低导通电阻(典型值为 1.4Ω)有助于减少功率损耗,提高转换效率。 3. 电机驱动 - 该器件可用于驱动中小型电机,尤其是在需要高电压工作的场景下。例如,家用电器(如风扇、水泵)和工业设备中的电机控制。 4. 电子负载保护 - FQP7N80C 可用于过流保护电路和负载开关中,确保系统在异常情况下能够快速切断电流,保护下游电路免受损坏。 5. 继电器替代 - 在需要频繁切换的电路中,FQP7N80C 可作为固态继电器的替代品,提供更快的开关速度和更长的使用寿命。 6. 汽车电子 - 由于其高耐压特性,FQP7N80C 可应用于汽车电子领域,例如电动车窗、雨刷控制系统以及照明电路等需要高压驱动的应用。 7. 家电控制 - 在家用电器中,如空调、洗衣机和冰箱,FQP7N80C 可用于压缩机启动、风扇控制以及其他高压开关功能。 总结 FQP7N80C 凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能,广泛应用于各种需要高压、高效功率控制的场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子,这款 MOSFET 都能提供可靠的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.6 A |
Id-连续漏极电流 | 6.6 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP7N80CQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQP7N80C |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 167 W |
Pd-功率耗散 | 167 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.9 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.9 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 100 ns |
下降时间 | 60 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1680pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.9 欧姆 @ 3.3A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 50 ns |
功率-最大值 | 167W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 5.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.6A (Tc) |
系列 | FQP7N80 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQP7N80C_NL |