Datasheet下载- 型号： STI34N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STI34N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STI34N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTI34N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STI34N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STI34N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STI34N65M5 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - STI34N65M5 的高电压耐受能力（650V）和低导通电阻（典型值为 1.7Ω）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - 常见于 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器以及功率因数校正 (PFC) 电路中。 2. 电机驱动 - 该器件可以作为电机驱动电路中的功率开关，适用于中小功率的直流电机或步进电机控制。 - 其快速开关特性和低损耗特性有助于提高电机驱动效率。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或 UPS（不间断电源）系统中，STI34N65M5 可用作功率级开关，实现高效的电能转换。 - 它能够处理高电压和高电流，适合需要可靠性和稳定性的逆变器设计。 4. 负载开关 - 由于其低导通电阻，STI34N65M5 可以用作高效负载开关，减少功率损耗并提高系统效率。 - 适用于各种工业设备和消费电子产品的负载管理。 5. 保护电路 - 在过流保护、短路保护等电路中，STI34N65M5 可作为关键的开关元件。 - 其快速响应速度和高可靠性确保了系统的安全运行。 6. 电池管理系统 (BMS) - 在电动汽车、电动工具或便携式设备的电池管理系统中，STI34N65M5 可用于电池充放电控制和保护功能。 总结 STI34N65M5 凭借其出色的电气性能和稳定性，广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的场景，如开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关、保护电路以及电池管理系统等。这些应用领域对功率效率和可靠性要求较高，而 STI34N65M5 的设计正好满足这些需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKMOSFET N-Ch 650V 0.09Ohm 28A pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STI34N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STI34N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| Qg-GateCharge | 62.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 62.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 8.7 ns |
| 下降时间 | 7.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 14A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAKFP （281） |
| 其它名称 | 497-13439 |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3 整包， I²Pak |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A （Tc） |
| 系列 | STI34N65M5 |
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