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产品简介:
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NTTFS4840NTAG 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET器件,主要应用于需要高效功率管理的场景。该器件为N沟道增强型MOSFET,具有高耐压、低导通电阻和优异的热性能,适合用于以下应用场景: 1. 电源管理系统:适用于DC-DC转换器、电源适配器和电池管理系统,提升能量转换效率并减少功率损耗。 2. 电机控制:广泛用于直流电机、步进电机等驱动电路中,作为高效开关元件,实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 负载开关:作为高侧或低侧开关,用于控制各种负载的通断,如LED照明、加热元件或风扇等。 4. 汽车电子:适用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)及车载充电器等,满足汽车应用对可靠性和耐环境能力的要求。 5. 工业自动化:用于PLC、工业电源及自动化控制系统中,提升系统稳定性和响应速度。 6. 消费类电子产品:如笔记本电脑、游戏机和智能家电等,用于内部电源管理和功率控制模块。 该MOSFET采用表面贴装封装,便于自动化生产,同时具备良好的散热性能,适合高密度电路设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTTFS4840NTAG |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 580pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.8nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 24 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | 8-WDFN(3.3x3.3) |
其它名称 | NTTFS4840NTAGOSDKR |
功率-最大值 | 840mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.6A (Ta), 26A (Tc) |