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  • 型号: SI7356ADP-T1-E3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7356ADP-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7356ADP-T1-E3价格参考。VishaySI7356ADP-T1-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7356ADP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7356ADP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI7356ADP-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,主要应用于需要高效功率管理和开关控制的电子设备中。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗,提高系统效率。

其典型应用场景包括:

1. 电源管理系统:如DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备中的电源控制等,适用于笔记本电脑、平板电脑和移动设备。

2. 负载开关与热插拔控制:用于服务器、通信设备和工业控制系统中,实现对负载的高效、快速开关控制,防止过流和短路损坏系统。

3. 电机驱动与继电器替代:在小型电机、电磁阀等感性负载控制中,作为固态开关使用,具备更高的可靠性和更长寿命。

4. 汽车电子系统:如车载娱乐系统、车身控制模块、LED照明驱动等,满足汽车环境中对稳定性和可靠性的要求。

5. 工业自动化设备:用于PLC、传感器模块、继电器控制等场合,提供紧凑、高效的功率控制解决方案。

该MOSFET采用小型PowerPAK封装,散热性能良好,适合高密度PCB布局,广泛应用于对空间和效率有较高要求的设计中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SI7356ADP-T1-E3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6215pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

145nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 毫欧 @ 20A,10V

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

功率-最大值

83W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A (Tc)

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