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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI7356ADP-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,主要应用于需要高效功率管理和开关控制的电子设备中。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗,提高系统效率。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理系统:如DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备中的电源控制等,适用于笔记本电脑、平板电脑和移动设备。 2. 负载开关与热插拔控制:用于服务器、通信设备和工业控制系统中,实现对负载的高效、快速开关控制,防止过流和短路损坏系统。 3. 电机驱动与继电器替代:在小型电机、电磁阀等感性负载控制中,作为固态开关使用,具备更高的可靠性和更长寿命。 4. 汽车电子系统:如车载娱乐系统、车身控制模块、LED照明驱动等,满足汽车环境中对稳定性和可靠性的要求。 5. 工业自动化设备:用于PLC、传感器模块、继电器控制等场合,提供紧凑、高效的功率控制解决方案。 该MOSFET采用小型PowerPAK封装,散热性能良好,适合高密度PCB布局,广泛应用于对空间和效率有较高要求的设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI7356ADP-T1-E3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6215pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 145nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
功率-最大值 | 83W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Tc) |