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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STU3LN62K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STU3LN62K3价格参考。STMicroelectronicsSTU3LN62K3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STU3LN62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STU3LN62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STU3LN62K3是一款单N沟道增强型MOSFET,属于功率晶体管,常用于需要高效能、高可靠性的电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能,适合多种工业和消费类电子设备。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,实现高效的电压转换与调节。 2. 电机驱动:适用于小型电机或步进电机的控制电路,提供快速开关和低损耗性能。 3. 负载开关:作为高边或低边开关,控制电池供电设备中的电源分配。 4. 逆变器与变频器:在小型逆变器或变频系统中作为功率开关元件。 5. 消费电子产品:如笔记本电脑、平板、智能家电等设备中的电源控制模块。 6. 工业控制:用于PLC、传感器模块、自动化设备中的开关控制电路。 该MOSFET采用小型封装,适合空间受限的设计,同时具备良好的抗静电和热稳定性,提高了系统可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAKMOSFET N-Ch 620V 2.5 Ohm 2.5A SuperMESH 3 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STU3LN62K3SuperMESH3™ |
数据手册 | |
产品型号 | STU3LN62K3 |
Pd-PowerDissipation | 45 W |
Pd-功率耗散 | 45 W |
Qg-栅极电荷 | 17 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 620 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 620 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 386pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 1.25A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | 497-12361 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251178?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 45W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 620V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Tc) |
系列 | STU3LN62K3 |
配置 | Single |