Datasheet下载- 型号： IRL1004STRR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL1004STRR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL1004STRR价格参考。International RectifierIRL1004STRR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL1004STRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL1004STRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRL1004STRR的器件属于N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种功率电子应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和快速开关特性，适合需要高效能和高可靠性的场景。 IRL1004STRR的典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、稳压模块等，适用于笔记本电脑、服务器电源系统等对效率要求较高的场合。 2. 电机控制：在直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中，作为功率开关使用，常见于电动工具、工业自动化设备和机器人控制系统。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，例如LED照明、加热元件或风扇等，广泛应用于汽车电子和工业控制系统。 4. 电池管理系统（BMS）：在电池充放电保护电路中作为开关元件，适用于电动车辆、储能系统和便携式电子设备。 5. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，实现电能的高效转换与控制。 该器件采用TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装，适合表面贴装工艺，适用于中高功率密度设计。其逻辑电平栅极驱动特性使其可直接由微控制器或数字电路控制，提升了系统集成度和响应速度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRL1004STRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 78A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A （Tc） |
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