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FDA28N50产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDA28N50由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDA28N50价格参考。Fairchild SemiconductorFDA28N50封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 28A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN。您可以下载FDA28N50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDA28N50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDA28N50 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS) FDA28N50 适用于各种开关电源设计,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。其高电压耐受能力(500V 额定击穿电压)使其适合高压输入环境下的电源转换应用。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于驱动中小功率电机,例如家用电器中的风扇、泵或小型工业设备中的电机控制。其低导通电阻(典型值为 0.48Ω)有助于减少功耗和提高效率。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,FDA28N50 可作为开关元件使用,帮助实现高效的直流到交流转换。 4. 电磁阀控制 由于其能够承受较高的电压和电流,FDA28N50 适合用于控制电磁阀的开闭,常见于工业自动化设备或汽车系统中。 5. 负载切换 在需要频繁切换高电压负载的应用中,例如 LED 照明或电池管理系统,FDA28N50 可以提供可靠的开关性能。 6. 汽车电子 该器件符合 AEC-Q101 标准(如果适用版本),因此可用于汽车电子领域,如车载充电器、电动座椅调节器或车窗升降器等应用。 7. 保护电路 FDA28N50 可用作过流保护或短路保护的开关元件,在异常情况下快速切断电流路径以保护系统。 总结来说,FDA28N50 的高耐压特性、较低的导通电阻以及良好的开关性能,使其非常适合用于高压、高效能需求的电力电子设备中。在选择具体应用场景时,需根据实际工作条件(如电压、电流、频率等)进行匹配设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PNMOSFET UniFET 500V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
Id-连续漏极电流 | 28 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDA28N50UniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDA28N50 |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 310 W |
Pd-功率耗散 | 310 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 155 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 155 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 126 ns |
下降时间 | 110 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5140pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 105nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 155 毫欧 @ 14A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-3PN |
典型关闭延迟时间 | 210 ns |
功率-最大值 | 310W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.401 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3PN-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 28A (Tc) |
系列 | FDA28N50 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |