Datasheet下载- 型号： RSQ015N06TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RSQ015N06TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RSQ015N06TR价格参考。ROHM SemiconductorRSQ015N06TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RSQ015N06TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RSQ015N06TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RSQ015N06TR是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号具有以下特点和应用场景： 主要参数： - 耐压值：60V - 导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，在特定条件下） - 连续漏极电流（Id）：97A（最大值，取决于散热条件） - 封装形式：TO-263-3（D2PAK） 应用场景： 1. 开关电源（SMPS） RSQ015N06TR适用于开关电源中的功率开关角色，例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻特性有助于降低导通损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机，特别是在需要高效切换和低功耗的应用中，如家用电器、电动工具或工业自动化设备。 3. 负载开关 在需要快速切换大电流负载的电路中，RSQ015N06TR可作为高效的负载开关，适用于服务器、笔记本电脑或其他电子设备中的电源管理模块。 4. DC-DC转换器 由于其低导通电阻和高电流承载能力，这款MOSFET非常适合用于大功率DC-DC转换器的主开关或同步整流器。 5. 电池管理系统（BMS） 在电动车、储能系统或其他电池供电设备中，RSQ015N06TR可用作电池保护开关或均衡电路中的关键元件。 6. 汽车电子 该型号满足汽车级应用的需求，适用于车载充电器、LED照明驱动、电动助力转向系统（EPS）等场景。 7. 逆变器与UPS系统 在不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，RSQ015N06TR可以作为功率级开关，提供高效的能量转换。 优势： - 低导通电阻：减少功率损耗，提升系统效率。 - 高电流能力：支持大电流负载，适应多种功率需求。 - 紧凑封装：便于设计布局，节省PCB空间。 - 高可靠性：适合工业和汽车领域对稳定性和耐用性要求较高的应用。 总之，RSQ015N06TR是一款高性能的MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换和大电流处理的各种电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6MOSFET SW MOSFET MID PWR N-CH 60V 1.5A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RSQ015N06TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RSQ015N06TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| Qg-GateCharge | 3.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 210 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 210 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 290 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | RSQ015N06DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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