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Datasheet下载- 型号： IRFH8330TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH8330TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH8330TRPBF价格参考。International RectifierIRFH8330TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH8330TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH8330TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFH8330TRPBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其典型的应用场景： 1. 电源管理 IRFH8330TRPBF 常用于各种电源管理电路中，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电压调节模块（VRM）等。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够有效降低功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动 该器件适用于小型电机驱动应用，如家用电器中的风扇、泵或伺服电机控制。其快速开关特性和高电流处理能力使其成为电机驱动的理想选择。 3. 电池管理系统（BMS） 在电池保护和管理中，IRFH8330TRPBF 可用作负载开关或保护开关，实现过流保护、短路保护等功能，同时确保低功耗。 4. 汽车电子 该 MOSFET 广泛应用于汽车电子领域，如电动座椅调节、电动车窗、雨刷控制系统以及 LED 灯光驱动等。它满足汽车级应用对可靠性和高效性的要求。 5. 通信设备 在通信基础设施中，例如基站电源、路由器电源模块等，IRFH8330TRPBF 能够提供稳定的电流输出和高效的能量转换。 6. 工业自动化 用于工业控制中的继电器替代、电磁阀驱动、信号放大等场合。其坚固耐用的设计适合严苛的工业环境。 7. 消费类电子产品 包括笔记本电脑适配器、平板电脑充电器、游戏机电源等，IRFH8330TRPBF 的高性能表现可以提升产品的整体效能。 总结来说，IRFH8330TRPBF 凭借其低导通电阻、高切换速度和良好的热性能，在需要高效能、低功耗的多种应用场景中表现出色，是现代电子设计中的重要元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFNMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms 9.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 56 A |
| Id-连续漏极电流 | 56 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH8330TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH8330TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Qg-GateCharge | 9.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.35 V to 2.35 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.35 V to 2.35 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 5.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.6 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH8330TRPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 10 ns |
| 功率-最大值 | 3.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5X6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 61 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Ta）， 56A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh8330pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh8330pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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