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  • 型号: BUK9K29-100E,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BUK9K29-100E,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9K29-100E,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9K29-100E,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK9K29-100E,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 30A 68W Surface Mount LFPAK56D。您可以下载BUK9K29-100E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9K29-100E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 BUK9K29-100E,115 是一款N沟道增强型MOSFET阵列,属于高性能低压功率MOSFET产品系列。该器件采用TrenchMOS技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高效率特性,适用于需要高效能和紧凑设计的电源管理应用。

主要应用场景包括:  
1. 电源管理系统:广泛用于DC-DC转换器、同步整流和负载开关,尤其适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的多相电压调节模块(VRM),提供高效稳定的电压输出。  
2. 电池供电设备:在便携式电子产品如平板电脑、移动电源和电动工具中,BUK9K29-100E可用于电池保护电路和电源切换,提升能效并延长电池寿命。  
3. 电机驱动:适用于小型直流电机或步进电机的驱动控制,常见于家电(如风扇、打印机)和工业自动化设备中。  
4. LED照明驱动:作为开关元件用于恒流LED驱动电路,实现高效调光与节能。  
5. 汽车电子辅助系统:虽非车规级主控器件,但可应用于车载信息娱乐系统或车身控制模块中的低压电源管理部分。

该器件具备100V耐压、低栅极电荷和优异的热性能,支持高频率开关操作,有助于减小外围元件尺寸和整体系统体积。其SOT760封装(LFPAK56)具备优良的散热能力,适合高密度PCB布局,是追求高效率与高可靠性的工业与消费类电子产品的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

产品型号

BUK9K29-100E,115

PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3491pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

54nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

27 毫欧 @ 10A,10V

供应商器件封装

LFPAK56D

其它名称

568-9900-1

功率-最大值

68W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-1205, 8-LFPAK56

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A

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