ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 > CSD87331Q3D
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
CSD87331Q3D产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD87331Q3D由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD87331Q3D价格参考。Texas InstrumentsCSD87331Q3D封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 通道(半桥) Mosfet 阵列 30V 15A 6W 表面贴装 8-LSON(5x6)。您可以下载CSD87331Q3D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD87331Q3D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD87331Q3D 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款 FET/MOSFET 阵列器件,广泛应用于高效能功率管理领域。以下是其主要应用场景: 1. 电机驱动 - CSD87331Q3D 的低导通电阻和高开关速度特性使其非常适合用于小型直流无刷电机(BLDC)或步进电机的驱动电路中。 - 它能够提供高效的功率转换,适用于消费电子、家用电器(如风扇、吸尘器)以及工业自动化设备中的电机控制。 2. 电源管理 - 该器件常用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等电源管理系统中。 - 其优化的栅极驱动设计和低损耗性能可以提高整体电源效率,降低热耗散,特别适合便携式设备(如智能手机、平板电脑)的充电管理模块。 3. 负载切换与保护 - 在需要频繁开启或关闭负载的应用中,例如 USB-C PD 控制器、电池管理系统(BMS),CSD87331Q3D 可以实现快速且可靠的负载切换。 - 同时,它还具备过流保护功能,确保系统在异常情况下不会受到损害。 4. 音频放大器 - 对于 D 类音频放大器,CSD87331Q3D 的低 RDS(on) 和快速开关能力有助于减少失真并提升音质表现。 - 它能够支持高保真音响设备及便携式音频播放器的功放需求。 5. 通信设备 - 在基站、路由器或其他通信设备中,这款 MOSFET 阵列可用于信号调节和功率分配任务,保证数据传输过程中的稳定性与可靠性。 总结 CSD87331Q3D 凭借其紧凑封装、卓越的电气性能以及良好的散热特性,在众多需要高效功率转换和精确控制的应用场景中表现出色。无论是消费类电子产品还是工业级解决方案,它都能满足多样化的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SONMOSFET 30V Sync Buck NexFET Power Block |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD87331Q3DNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD87331Q3D |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 6 W |
| Pd-功率耗散 | 6 W |
| Qg-GateCharge | 2.7 nC, 6.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2.7 nC, 6.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.1 V, 1.2 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 4.5 ns, 4.7 ns |
| 下降时间 | 1.3 ns, 2.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V, 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 518pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON-EP(3.3x3.3) |
| 其它名称 | 296-29695-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 7.4 ns, 11.2 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD87331Q3D |
| 功率-最大值 | 6W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-LDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | LSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 48 S / 26 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A |
| 系列 | CSD87331Q3D |
| 配置 | Dual |