Datasheet下载- 型号： ZXMN2088DE6TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN2088DE6TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN2088DE6TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN2088DE6TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN2088DE6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN2088DE6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMN2088DE6TA是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，适用于需要高效、低导通电阻和紧凑设计的电源管理与负载开关应用场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器等，提高能效，降低发热，适用于便携式设备、电池供电系统和电源适配器。 2. 负载开关：在多路电源分配或负载控制中作为电子开关使用，常见于服务器、通信设备及工业控制系统。 3. 马达驱动与继电器替代：用于小型电机驱动电路或固态继电器，实现快速开关与低功耗控制。 4. 电池保护电路：在电池充放电管理系统中作为高/低端开关，防止过流、短路等异常情况。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、LED照明控制等对空间与效率有要求的场景。 该器件采用小型DFN封装，适合高密度PCB布局，具备良好的热性能与可靠性，适合中低功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ZXMN2088DE6TA |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 279pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 其它名称 | ZXMN2088DE6TADI |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.7A |
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