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MMBTA06LT3G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA06LT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA06LT3G价格参考。ON SemiconductorMMBTA06LT3G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBTA06LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBTA06LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBTA06LT3G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的小信号晶体管。该器件采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度贴装的电路板设计。 主要应用场景包括: 1. 开关电路:MMBTA06LT3G常用于各类低功率开关应用,如驱动LED、继电器、小型电机或逻辑电路中的电平转换。其较高的电流增益和快速开关特性使其在数字控制电路中表现出色。 2. 信号放大:适用于音频信号、传感器信号等小信号放大电路,广泛用于消费类电子产品,如便携式音响、家用电器控制模块等。 3. 电源管理:可在电源使能控制、负载开关或电压调节电路中作为控制元件使用,配合其他IC实现电源通断管理。 4. 通信设备:用于无线模块、数据传输接口中的信号处理单元,支持高频小信号操作。 5. 工业控制与汽车电子:由于该型号为符合AEC-Q101标准的汽车级器件(G后缀表示符合绿色/无铅要求),因此也广泛应用于车载传感器、车身控制模块、照明控制等汽车电子系统中,具备良好的温度稳定性和可靠性。 综上,MMBTA06LT3G因其高可靠性、小型化封装及优良的电气性能,广泛用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域,尤其适合空间受限且对稳定性要求较高的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DRIVER NPN 80V SOT-23两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBTA06LT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBTA06LT3G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBTA06LT3GOSDKR |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 4 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MMBTA06L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.25 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |