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  • 型号: MMBTA06LT3G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MMBTA06LT3G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA06LT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA06LT3G价格参考。ON SemiconductorMMBTA06LT3G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 500mA 100MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMBTA06LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBTA06LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBTA06LT3G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的小信号晶体管。该器件采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度贴装的电路板设计。

主要应用场景包括:

1. 开关电路:MMBTA06LT3G常用于各类低功率开关应用,如驱动LED、继电器、小型电机或逻辑电路中的电平转换。其较高的电流增益和快速开关特性使其在数字控制电路中表现出色。

2. 信号放大:适用于音频信号、传感器信号等小信号放大电路,广泛用于消费类电子产品,如便携式音响、家用电器控制模块等。

3. 电源管理:可在电源使能控制、负载开关或电压调节电路中作为控制元件使用,配合其他IC实现电源通断管理。

4. 通信设备:用于无线模块、数据传输接口中的信号处理单元,支持高频小信号操作。

5. 工业控制与汽车电子:由于该型号为符合AEC-Q101标准的汽车级器件(G后缀表示符合绿色/无铅要求),因此也广泛应用于车载传感器、车身控制模块、照明控制等汽车电子系统中,具备良好的温度稳定性和可靠性。

综上,MMBTA06LT3G因其高可靠性、小型化封装及优良的电气性能,广泛用于消费电子、工业控制、汽车电子等多个领域,尤其适合空间受限且对稳定性要求较高的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DRIVER NPN 80V SOT-23两极晶体管 - BJT 500mA 80V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBTA06LT3G-

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产品型号

MMBTA06LT3G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 10mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 100mA,1V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBTA06LT3GOSDKR

功率-最大值

225mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

4 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

10000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

225 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

MMBTA06L

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

集电极—射极饱和电压

0.25 V

集电极连续电流

0.5 A

频率-跃迁

100MHz

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