Datasheet下载- 型号： 2N5192G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5192G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5192G价格参考。ON Semiconductor2N5192G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5192G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5192G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5192G 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它是一种 NPN 结构的功率晶体管，主要应用于需要高电流驱动和中等频率操作的场景。以下是 2N5192G 的一些典型应用场景： 1. 功率放大器 - 2N5192G 具有较高的集电极电流（可达 10A）和功率耗散能力（最大 65W），适合用于音频功率放大器或射频功率放大器中的输出级。 - 它可以作为推动级或输出级晶体管，提供足够的增益和电流驱动能力。 2. 开关应用 - 在需要大电流切换的电路中，例如继电器驱动、电机控制或 LED 驱动，2N5192G 可以用作开关元件。 - 它的高电流容量使其能够可靠地控制负载，同时保持较低的导通压降。 3. 电源管理 - 该晶体管可用于线性稳压器中的调整管，通过调节集电极电流来维持输出电压的稳定性。 - 在某些直流-直流转换器中，也可以作为开关元件使用。 4. 工业控制 - 在工业自动化设备中，2N5192G 可用于驱动电磁阀、步进电机或其他需要高电流的负载。 - 它的耐压能力（最大集电极-发射极电压为 120V）使其能够在较高电压环境下工作。 5. 信号放大 - 尽管 2N5192G 更常用于功率应用，但在低频信号放大场景中，它也可以用作中等增益的放大器件。 - 例如，在音频前置放大器或传感器信号调理电路中，它可以提供必要的电流增益。 注意事项 在实际应用中，应根据其电气特性选择合适的偏置条件和散热设计。由于 2N5192G 的功耗较大，通常需要配备适当的散热器以防止过热。此外，为了确保稳定运行，建议使用匹配的保护电路（如限流电阻或瞬态电压抑制器）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN PWR GP 4A 80V TO225AA两极晶体管 - BJT 4A 80V 40W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5192G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N5192G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.4V @ 1A，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 1.5A，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-225AA |
| 其它名称 | 2N5192GOS |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 2 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 封装/箱体 | TO-225-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 40 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | 2N5192 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.4 V |
| 集电极连续电流 | 4 A |
| 频率-跃迁 | 2MHz |
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