Datasheet下载- 型号： 2SB1201S-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1201S-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1201S-E价格参考。ON Semiconductor2SB1201S-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SB1201S-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1201S-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2SB1201S-E的晶体管由ON Semiconductor生产，属于双极型晶体管（BJT）中的PNP类型。该器件常用于需要低饱和电压和高电流放大的应用场景。 2SB1201S-E的主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：该晶体管适用于DC-DC转换器、负载开关和稳压器等电源相关电路，因其具备良好的导通特性和较低的饱和压降，有助于提高电源效率。 2. 电机驱动和继电器控制：由于其较高的电流承载能力，该晶体管可作为开关元件用于控制小型电机、继电器或电磁阀，实现对负载的高效控制。 3. 工业自动化设备：在工业控制模块中，2SB1201S-E可用于信号放大、开关控制和接口电路设计，适用于PLC（可编程逻辑控制器）等设备。 4. 消费类电子产品：如电视、音响设备和家用电器中的电源开关和控制电路，用于实现对不同功能模块的电流控制。 5. 汽车电子系统：包括车载电源系统、照明控制和传感器接口电路，适用于对可靠性和稳定性要求较高的汽车环境。 该晶体管采用小型表面贴装封装（如SOT-89），适合自动化装配和空间受限的设计，广泛应用于中低功率电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 2A 50V TP-FA两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1201S-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1201S-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 700mV @ 50mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 140 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TP-FA |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-251 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 0.8 W |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | 2SB1201 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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