ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2N7002ET1G
Datasheet下载- 型号： 2N7002ET1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002ET1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002ET1G价格参考￥0.08-￥0.08。ON Semiconductor2N7002ET1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 260mA（Ta） 300mW（Tj） SOT-23-3（TO-236）。您可以下载2N7002ET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002ET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002ET1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括：便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、蓝牙设备）中的电源管理与开关控制；消费类电子（如电视、机顶盒、音响设备）中的信号切换和负载驱动；以及工业控制电路中的低功率开关应用。 该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，适合用于逻辑电平转换、LED驱动、继电器或电机驱动中的初级开关等场景。由于其采用SOT-23封装，体积小巧，非常适合空间受限的高密度PCB设计。此外，2N7002ET1G符合RoHS环保标准，适用于对环保要求较高的产品。 在电池供电设备中，因其低漏电流和高效能特性，有助于延长电池使用寿命。总体而言，2N7002ET1G是一款经济实用、性能稳定的通用型MOSFET，适用于多种低电压、低电流的开关与控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23MOSFET NFET SOT23 60V 310mA 2.5Ohms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 260 mA |
| Id-连续漏极电流 | 260 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 2N7002ET1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002ET1G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 300 mW |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2500 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 1.2 ns |
| 下降时间 | 1.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 26.7pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.81nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 欧姆 @ 240mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | 2N7002ET1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 4.8 ns |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2500 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 260 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 260mA（Ta） |
| 系列 | 2N7002E |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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