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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTC114EKAT146由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC114EKAT146价格参考¥0.37-¥0.68。ROHM SemiconductorDTC114EKAT146封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3。您可以下载DTC114EKAT146参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC114EKAT146 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTC114EKAT146是一款预偏置的双极晶体管(BJT),其主要应用场景包括: 1. 开关电源 DTC114EKAT146在开关电源中可以用于控制电路中的电流流动。它能够快速响应,确保电源系统的稳定性和高效性。由于其预偏置特性,该晶体管可以在低电压条件下启动,适用于需要精确控制电流的应用场景。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,DTC114EKAT146可以作为功率放大器或开关元件,用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高可靠性和低功耗特性使得它在电池供电设备中表现尤为出色。 3. 信号放大 该晶体管适用于音频信号放大器等应用,能够提供稳定的增益和低噪声性能。预偏置设计有助于提高放大器的线性度,减少失真,适合对音质要求较高的场合。 4. 温度传感器 DTC114EKAT146可以用于温度传感器电路中,通过检测温度变化引起的电流变化来实现温度测量。其预偏置特性有助于在低温环境下保持良好的工作状态,确保传感器的精度和稳定性。 5. 工业自动化 在工业自动化控制系统中,DTC114EKAT146可用于信号传输和处理模块,帮助实现精准的控制和反馈。其高耐压和抗干扰能力使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。 6. 消费电子产品 如智能手机、平板电脑等便携式设备中,DTC114EKAT146可以用于电源管理、背光控制等功能模块。其小尺寸和低功耗特性使其非常适合应用于这些对空间和能耗有严格要求的产品。 总结: DTC114EKAT146凭借其预偏置设计、低功耗、高可靠性等特点,广泛应用于开关电源、电机驱动、信号放大、温度传感器、工业自动化以及消费电子产品等领域。它不仅能满足多种应用场景的需求,还能提供优异的性能和稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 DIGITL NPN 50V 50MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC114EKAT146- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTC114EKAT146 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | DTC114EKAT146DKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 配置 | Single |
| 集电极连续电流 | 50 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |