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  • 型号: MJB44H11T4
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJB44H11T4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJB44H11T4价格参考。STMicroelectronicsMJB44H11T4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJB44H11T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJB44H11T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PWR NPN 10A 80V D2PAK-3开关晶体管 - 偏压电阻器 80V Low Voltage NPN 5V VEBO 10A IC 50W

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,STMicroelectronics MJB44H11T4-

数据手册

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产品型号

MJB44H11T4

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 400mA,8A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 4A,1V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

497-12849-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF253193?referrer=70071840

功率-最大值

50W

功率耗散

50 W

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK

峰值直流集电极电流

20 A

工厂包装数量

1000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

10A

电流-集电极截止(最大值)

10µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

60 A

系列

MJB44H11T4

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极连续电流

10 A

频率-跃迁

-

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