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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJB44H11T4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJB44H11T4价格参考。STMicroelectronicsMJB44H11T4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJB44H11T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJB44H11T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJB44H11T4 是 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。以下是其主要应用场景: 1. 功率放大器 - MJB44H11T4 常用于音频功率放大器中,作为输出级的驱动晶体管。它的高电流处理能力和良好的增益特性使其适合于需要高效能和低失真的音频应用。 2. 开关电路 - 在需要大电流开关的应用中,例如电机控制、继电器驱动或负载切换,MJB44H11T4 可以用作开关元件。它能够承受较高的集电极电流(通常可达几十安培),适合驱动中等功率设备。 3. 电源管理 - 在线性稳压器或直流-直流转换器中,该晶体管可以用作调节元件或保护电路的一部分。其高耐压能力(通常为数十伏)使其适用于多种电压范围的电源设计。 4. 电机驱动 - MJB44H11T4 能够驱动小型至中型直流电机,提供足够的电流来启动和维持电机运行。它还可以用于实现电机的速度控制和方向切换。 5. 信号放大 - 在需要对弱电信号进行放大的场景中,例如传感器信号调理或通信系统中的前置放大器,MJB44H11T4 的高增益特性可以有效提升信号强度。 6. 过流保护电路 - 利用其电流限制功能,MJB44H11T4 可以在过载情况下保护下游电路免受损坏。这种保护机制常见于工业设备和消费电子产品的电源部分。 总结 MJB44H11T4 的典型应用场景包括功率放大、开关控制、电源管理和信号放大等领域。其出色的电流承载能力和稳定性使其成为许多中高功率电子设计的理想选择。在实际应用中,需根据具体需求匹配合适的外围电路以确保最佳性能和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PWR NPN 10A 80V D2PAK-3开关晶体管 - 偏压电阻器 80V Low Voltage NPN 5V VEBO 10A IC 50W |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,STMicroelectronics MJB44H11T4- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJB44H11T4 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 4A,1V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-12849-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC84/PF253193?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 50W |
| 功率耗散 | 50 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK |
| 峰值直流集电极电流 | 20 A |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 10µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 A |
| 系列 | MJB44H11T4 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极连续电流 | 10 A |
| 频率-跃迁 | - |