Datasheet下载- 型号： 2SB1123S-TD-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1123S-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1123S-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SB1123S-TD-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SB1123S-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1123S-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SB1123S-TD-E 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类别。该型号的 BJT 主要应用于高频、高增益以及大功率场景，其具体应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 射频放大器 - 2SB1123S-TD-E 的高频特性使其非常适合用于射频（RF）信号放大。它可以在无线通信设备中作为功率放大器的核心元件，提升信号强度以满足远距离传输需求。 - 应用实例：对讲机、无线电广播设备、卫星通信系统等。 2. 音频功率放大 - 在音频设备中，这款晶体管可以用于功率放大电路，将音频信号放大到驱动扬声器所需的电平。 - 应用实例：音响系统、功放模块、耳机放大器等。 3. 开关电源（SMPS）中的驱动级 - 在开关电源设计中，2SB1123S-TD-E 可用作驱动级晶体管，控制 MOSFET 或其他功率器件的开关状态，从而实现高效的能量转换。 - 应用实例：适配器、充电器、工业电源等。 4. 电机驱动与控制 - 该型号的晶体管能够承受较高的电流和电压，适用于电机驱动电路，尤其是需要高增益和快速响应的场景。 - 应用实例：小型直流电机驱动、步进电机控制等。 5. 工业自动化与控制 - 在工业控制系统中，2SB1123S-TD-E 可用于信号放大或驱动负载，例如继电器、电磁阀等。 - 应用实例：PLC 控制模块、传感器信号调理电路等。 6. 测试与测量设备 - 高精度的测试仪器可能需要稳定的信号放大功能，这款晶体管凭借其优良的线性度和稳定性，可胜任相关任务。 - 应用实例：示波器、信号发生器、频谱分析仪等。 总结 2SB1123S-TD-E 的主要优势在于其高频性能、高增益特性和较大的功率处理能力，因此广泛应用于射频通信、音频放大、开关电源、电机驱动以及工业自动化等领域。选择此型号时，需根据具体电路需求考虑其工作频率、电流容量和散热要求等因素，以确保最佳性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 2A 50V SOT89-3两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1123S-TD-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1123S-TD-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 700mV @ 50mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1.3 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 4 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 系列 | 2SB1123 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.3 V |
| 集电极连续电流 | - 2 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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