Datasheet下载- 型号： KSB1151YS
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSB1151YS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSB1151YS价格参考。Fairchild SemiconductorKSB1151YS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载KSB1151YS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSB1151YS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSB1151YS 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类别。它是一种高性能的 NPN 型晶体管，广泛应用于各种电子电路中。以下是 KSB1151YS 的主要应用场景： 1. 开关电路 - KSB1151YS 可用作电子开关，控制负载的通断。例如，在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等场景中，该晶体管能够高效地切换电流。 - 它适用于低功耗和中等功率的应用，确保开关速度快且能耗低。 2. 信号放大 - 作为一款双极性晶体管，KSB1151YS 能够对微弱信号进行放大，适用于音频设备、传感器信号处理等场合。 - 在音频放大器中，它可以用于前置放大级或功率输出级，提供稳定的增益性能。 3. 电源管理 - 在直流-直流转换器或线性稳压器中，KSB1151YS 可以用作调节元件，帮助稳定输出电压。 - 它还适用于过流保护电路，通过检测异常电流并触发保护机制来保障系统安全。 4. 通信设备 - 该晶体管可用于射频（RF）和高频信号处理领域，例如调制解调器、无线通信模块中的信号调理电路。 - 其高频率特性和低噪声性能使其成为通信设备的理想选择。 5. 工业自动化 - 在工业控制系统中，KSB1151YS 可用于驱动电磁阀、步进电机或其他执行机构。 - 它支持快速响应和可靠操作，适合需要精确控制的工业环境。 6. 消费电子产品 - KSB1151YS 广泛应用于家用电器、玩具、遥控器等消费类电子产品中，实现简单的逻辑控制和信号传输功能。 总结 KSB1151YS 凭借其优异的电气特性和可靠性，适用于多种电子电路设计。无论是作为开关元件还是信号放大器，它都能满足不同应用需求。在实际使用中，需根据具体电路要求选择合适的偏置条件和外围元件，以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 60V 5A TO-126两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSB1151YS- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSB1151YS |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 2A，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-126 |
| 其它名称 | KSB1151YS-ND |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 散装 |
| 单位重量 | 761 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 封装/箱体 | TO-126 |
| 工厂包装数量 | 250 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | KSB1151 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.14 V |
| 频率-跃迁 | - |
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