【未分类_2N5302G】封装/厂家_2N5302G中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： 2N5302G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5302G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5302G价格参考。ON Semiconductor2N5302G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2N5302G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5302G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N5302G 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号广泛应用于各种电子电路中，主要作为开关或放大元件使用。以下是其典型应用场景：

1. 开关电路：  
   2N5302G 常用于数字逻辑电路中的开关应用。它能够在导通和截止状态之间快速切换，适用于继电器驱动、LED 驱动以及小型电机控制等场景。

2. 信号放大：  
   作为一种通用 NPN 晶体管，2N5302G 可用于音频信号放大器中，例如前置放大器或低功率音频输出级。它的增益特性使其适合处理小信号放大任务。

3. 电源管理：  
   在直流-直流转换器或其他电源管理系统中，2N5302G 可用作电流调节器或稳压器的一部分，帮助维持稳定的输出电压。

4. 脉宽调制 (PWM) 控制：  
   该晶体管可用于 PWM 控制电路中，实现对灯光亮度、电机速度等参数的精确调控。

5. 传感器接口：  
   2N5302G 可用于将来自传感器的微弱信号进行放大，以便后续处理。例如，在温度传感器或压力传感器的应用中提供必要的信号增强。

6. 射频 (RF) 应用：  
   虽然不是专为高频设计，但在某些低频 RF 场合下，2N5302G 也可以充当缓冲器或混频器组件。

总之，2N5302G 凭借其可靠性、成本效益及易于驱动的特点，在众多消费类电子产品、工业设备以及汽车电子领域都有所应用。选择具体应用时需注意其最大额定值（如集电极电流、功耗等）以确保安全运行。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS NPN PWR GP 30A 60V TO3两极晶体管 - BJT 30A 60V 200W NPN
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5302G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2N5302G
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	3V @ 6A，30A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	15 @ 15A，2V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-3
其它名称	2N5302GOS
功率-最大值	200W
包装	托盘
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	2 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tray
封装/外壳	TO-204AA，TO-3
封装/箱体	TO-204-2 (TO-3)
工厂包装数量	100
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	200 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	30 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	100
电压-集射极击穿（最大值）	60V
电流-集电极(Ic)（最大值）	30A
电流-集电极截止（最大值）	5mA
直流集电极/BaseGainhfeMin	15
系列	2N5302
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	60 V
集电极—基极电压VCBO	60 V
集电极—射极饱和电压	0.75 V
集电极连续电流	30 A
频率-跃迁	2MHz

样品试用

万种样品免费试用

去申请