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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXT849KTC由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXT849KTC价格参考。Diodes Inc.ZXT849KTC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZXT849KTC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXT849KTC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXT849KTC是一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。其主要应用场景包括: 1. 开关应用:ZXT849KTC可用于各种开关电路中,例如电源管理、信号切换和逻辑电平转换。它能够快速响应并提供稳定的开关性能,适用于消费电子、工业控制和通信设备中的低功耗开关需求。 2. 放大器设计:该型号适合用于音频放大器、信号放大器和其他需要高性能放大的电路中。其优秀的增益特性和线性度使其成为小信号放大的理想选择。 3. 保护电路:在过流保护、短路保护和过温保护等电路中,ZXT849KTC可以作为关键元件,确保系统在异常情况下安全运行。它的高可靠性和稳定性有助于提高整体系统的安全性。 4. 驱动电路:这款晶体管适用于驱动小型电机、LED阵列和其他负载的应用。它能够提供足够的电流来驱动这些负载,同时保持较低的功耗和发热。 5. 通信设备:在无线通信模块、射频前端和其他高频应用中,ZXT849KTC可以用于信号调制、解调和混频等操作,支持高效的数据传输和处理。 总的来说,ZXT849KTC凭借其出色的电气特性、可靠性和成本效益,广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备、通信基础设施以及汽车电子等领域。具体应用时需根据实际需求考虑其工作电压、电流容量和散热条件等因素。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN LO-SAT 30V D-PAK两极晶体管 - BJT NPN 30V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXT849KTC- |
数据手册 | |
产品型号 | ZXT849KTC |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 280mV @ 350mA,7A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1A,1V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
其它名称 | ZXT849KDKR |
功率-最大值 | 4.2W |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 4200 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 7 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 7A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 100 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 1 A at 1 V, 100 at 7 A at 1 V, 40 at 20 A at 2 V |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
集电极—射极饱和电压 | 230 mV |
集电极连续电流 | 7 A |
频率-跃迁 | 100MHz |