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Datasheet下载- 型号： SI8461DB-T2-E1
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8461DB-T2-E1由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8461DB-T2-E1价格参考。VishaySI8461DB-T2-E1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 780mW（Ta），1.8W（Tc） 4-Microfoot。您可以下载SI8461DB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI8461DB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI8461DB-T2-E1 是一款单通道 MOSFET 晶体管，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该 MOSFET 适用于各种电源管理系统，如 DC-DC 转换器、负载点 (PoL) 转换器和电池管理系统。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，SI8461DB-T2-E1 可用于驱动直流电机或步进电机。它能够快速切换，提供精确的电流控制，同时保持较低的发热水平。 3. 负载开关：作为负载开关，该 MOSFET 可以安全地接通或断开电路中的负载，保护系统免受过流、短路等异常情况的影响。其低导通电阻特性确保了在高电流下也能保持较低的电压降。 4. 通信设备：在无线通信基站、路由器和其他网络设备中，该 MOSFET 可用于信号路径的开关控制，确保信号传输的稳定性和可靠性。 5. 工业自动化：在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器 (PLC) 和传感器接口，SI8461DB-T2-E1 可用于实现高速、可靠的开关操作，满足工业环境对性能和耐用性的要求。 6. 消费电子：在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，该 MOSFET 可用于电池充电管理、电源切换等功能，帮助延长电池寿命并提高设备的整体能效。 7. 汽车电子：在汽车电子系统中，如电动助力转向 (EPS)、车身控制模块 (BCM) 和车载信息娱乐系统，该 MOSFET 可用于高效的电源管理和信号切换，确保系统的稳定运行。 总之，SI8461DB-T2-E1 凭借其卓越的电气性能和可靠性，适用于多种需要高效开关和低功耗的应用领域，特别是在电源管理、电机驱动和通信设备等方面表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V MICROFOOTMOSFET 20V 3.7A 1.8W 100mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.7 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8461DB-T2-E1TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI8461DB-T2-E1SI8461DB-T2-E1 |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| Qg-GateCharge | 9.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 136 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 136 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 610pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-Microfoot |
| 其它名称 | SI8461DB-T2-E1DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 780mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA，CSPBGA |
| 封装/箱体 | Micro Foot-4 1x1 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
| 配置 | Single |
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