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  • 型号: SH8M24TB1
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SH8M24TB1由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SH8M24TB1价格参考。ROHM SemiconductorSH8M24TB1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SH8M24TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SH8M24TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的SH8M24TB1是一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品,适用于多种电子电路设计场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - SH8M24TB1常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,作为功率开关或同步整流元件。其低导通电阻(Rds(on))特性能够有效降低功耗,提高效率。
   - 在负载开关应用中,该器件可以快速响应并控制电流流向,确保设备稳定运行。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机驱动中,SH8M24TB1可以用作H桥或半桥驱动电路的一部分,实现电机的正转、反转和速度调节。
   - 其紧凑的封装形式适合空间受限的应用,例如消费电子设备中的风扇或泵驱动。

 3. 电池管理
   - 该器件适用于电池保护电路,例如过流保护、短路保护和充放电控制。其低导通电阻有助于减少电池能量损耗,延长续航时间。
   - 在多节电池组中,SH8M24TB1可用于均衡电路,以确保每节电池电压一致。

 4. 信号切换
   - 在多路复用器或多路选择器中,SH8M24TB1可用作信号切换元件,支持高频信号的传输和隔离。
   - 它适用于音频、视频或其他模拟信号的切换场景,提供低噪声和高可靠性的性能。

 5. 汽车电子
   - 在汽车电子领域,SH8M24TB1可用于车身控制模块(BCM)、LED驱动、座椅加热器控制等应用。
   - 其优异的热特性和稳定性使其能够在严苛的工作环境下保持正常运行。

 6. 消费类电子产品
   - 该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中,用于电源管理、充电控制和接口保护等功能。
   - 在USB Type-C接口的过流保护电路中,SH8M24TB1可提供高效且可靠的解决方案。

 总结
SH8M24TB1凭借其高性能、小尺寸和低功耗的特点,成为许多现代电子设备的理想选择。无论是工业控制、汽车电子还是消费类产品,该器件都能满足多样化的需求,为系统设计提供灵活且高效的解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8MOSFET Nch+Pch 45V/-45V 4.5A/-3.5A; MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

4.5 A

Id-连续漏极电流

4.5 A

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SH8M24TB1-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SH8M24TB1

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

46 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

46 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

45 V

Vds-漏源极击穿电压

45 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

550pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9.6nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

46 毫欧 @ 4.5A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOP

其它名称

SH8M24TB1DKR

功率-最大值

2W

包装

Digi-Reel®

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

46 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOP-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

3.5 S

汲极/源极击穿电压

45 V

漏极连续电流

4.5 A

漏源极电压(Vdss)

45V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.5A,3.5A

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