ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN1R2-30YLDX
Datasheet下载- 型号： PSMN1R2-30YLDX
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R2-30YLDX由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R2-30YLDX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R2-30YLDX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 194W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN1R2-30YLDX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R2-30YLDX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PSMN1R2-30YLDX |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4616pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.24 毫欧 @ 25A， 10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 934068235115 |
| 功率-最大值 | 194W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
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