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Datasheet下载- 型号： SIA533EDJ-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SIA533EDJ-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIA533EDJ-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA533EDJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA533EDJ-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 12V 4.5A 7.8W 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 双。您可以下载SIA533EDJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIA533EDJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6MOSFET 12V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A, - 3.7 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA533EDJ-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIA533EDJ-T1-GE3SIA533EDJ-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 7.8 W |
| Pd-功率耗散 | 7.8 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC, 13 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC, 13 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 28 mOhms, 48 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 420pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 34 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 其它名称 | SIA533EDJ-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 7.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 28 mOhms, 48 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S, 21 S |
| 汲极/源极击穿电压 | +/- 12 V |
| 漏极连续电流 | +/- 4.5 A, - 3.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIA533EDJ-GE3 |
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