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IRF8915TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8915TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8915TRPBF价格参考。International RectifierIRF8915TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 8.9A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF8915TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF8915TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF8915TRPBF的器件属于晶体管 - FET,MOSFET - 阵列类别。该产品是一款高性能功率MOSFET阵列,主要用于需要高效、高频率开关操作的应用场合。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,适用于通信设备、服务器和工业控制系统中的高效能电源模块。 2. 电机控制:用于无刷直流电机(BLDC)驱动器和伺服电机控制器中,提供快速开关响应和低导通损耗。 3. 汽车电子:应用于车载充电系统、电池管理系统(BMS)以及车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电脑及智能家电中的电源管理和节能控制电路。 5. 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)、传感器供电系统及其他需要高效率与小型化设计的工业应用。 该器件采用封装形式,具有良好的热性能和空间利用率,适合在紧凑型设计中使用。其MOSFET阵列结构有助于减少外围元件数量,提高系统集成度和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| Ciss-输入电容 | 540 pF |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 8.9A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.9 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8915TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF8915TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 4.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 21.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 3.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 540pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18.3 毫欧 @ 8.9A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF8915PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 7.1 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.9A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf8915.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf8915.spi |
| 配置 | Dual |