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FDS6911产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6911由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6911价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6911封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 7.5A 900mW 表面贴装 8-SOIC。您可以下载FDS6911参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS6911 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的FDS6911是一款晶体管阵列中的N沟道MOSFET器件,广泛应用于需要高效功率控制和开关功能的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - FDS6911常用于DC-DC转换器中,作为功率开关或同步整流器的一部分,以提高效率并降低功耗。 - 在电池充电电路中,该器件可以用于控制充电电流和电压,确保安全高效的充电过程。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中,FDS6911可用于实现PWM(脉宽调制)控制,调节电机的速度和方向。 - 适用于消费电子、家用电器(如风扇、泵)和工业自动化设备中的电机控制。 3. 负载开关 - 作为负载开关,FDS6911能够快速接通或断开负载,同时减少开关过程中的损耗,保护系统免受过流或短路的影响。 - 常见于便携式设备(如智能手机、平板电脑)和其他低功耗电子产品中。 4. 信号切换 - 在多路复用器或多路选择器中,FDS6911可以用作信号切换的开关,支持高速信号传输。 - 适用于通信设备、数据采集系统和音频/视频切换电路。 5. LED驱动 - 用于LED照明系统的驱动电路中,通过调节电流来控制LED亮度,同时保持高效率和低热量产生。 - 特别适合背光显示、汽车照明和通用照明应用。 6. 保护电路 - FDS6911可用于设计过流保护、过压保护和短路保护电路,确保系统在异常情况下仍能安全运行。 - 广泛应用于消费类电子产品、工业设备和汽车电子系统。 总结 FDS6911凭借其低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,非常适合需要高效功率管理和精确控制的应用场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域,这款MOSFET都能提供可靠且高效的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A 8-SOICMOSFET LOW VOLTAGE |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6911PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS6911 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1130pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13 毫欧 @ 7.5A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS6911CT |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 36 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.5A |
| 系列 | FDS6911 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |