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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6975由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6975价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6975封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDS6975参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS6975 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6975 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双 N 通道增强型 MOSFET 阵列,其主要应用场景包括以下方面: 1. 电源管理: FDS6975 常用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、负载开关和电池管理等应用中。它具有低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提高系统的整体效率。 2. 电机驱动: 该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,尤其是在需要高效开关和低功耗的应用中。其快速开关特性和低导通电阻使其成为理想选择。 3. 信号切换: 在需要高频信号切换的场景中,例如音频信号切换、数据信号路由等,FDS6975 的低电容和快速开关速度可以提供出色的性能。 4. 负载控制: 它可用于负载控制电路中,例如在便携式设备中实现对不同功能模块的动态供电管理,以延长电池寿命。 5. 保护电路: FDS6975 可用作过流保护、短路保护或反向电压保护中的关键元件,确保系统在异常情况下免受损害。 6. 消费电子: 该器件广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑和其他消费类电子产品中,用于各种功率管理和信号处理任务。 综上所述,FDS6975 凭借其高性能参数和可靠性,适合多种需要高效功率转换和信号处理的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOICMOSFET SO-8 DUAL P-CH -30V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6975PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS6975 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 32 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1540pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 32 毫欧 @ 6A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS6975CT |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 16 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A |
| 系列 | FDS6975 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | FDS6975_NL |