ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SI4214DY-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI4214DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4214DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4214DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4214DY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 8.5A 3.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4214DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4214DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4214DY-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于控制电路的通断，实现高效的负载切换，降低功耗。 - DC-DC 转换器：作为同步整流器或开关元件，提高电源转换效率。 - 电池保护：在便携式设备中，用于防止过充、过放和短路。 2. 信号切换 - 多路复用/解复用：在数据采集系统中，用于选择不同的信号路径。 - 音频信号切换：在音频设备中，用于切换不同的输入或输出信号源。 3. 电机控制 - 小型电机驱动：适用于低功率直流电机的启动、停止和速度控制。 - H 桥电路：用于双向电机控制，提供正转和反转功能。 4. 消费类电子产品 - 智能手机和平板电脑：用于电源管理和外围设备接口控制。 - USB 供电管理：支持 USB 端口的快速充电和过流保护。 5. 工业应用 - 传感器接口：用于控制传感器的供电或信号传输。 - 继电器替代：利用其低导通电阻和快速开关特性，取代机械继电器。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频放大器和显示屏的电源管理。 - LED 驱动：控制车内照明系统的亮度和开关。 特点总结 SI4214DY-T1-GE3 具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和紧凑的封装（TSSOP），适合需要高效能和小尺寸的应用场景。其双通道设计也使得它能够在单一封装内实现多种功能集成，降低了电路复杂性和成本。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOICMOSFET 30V 8.5A 3.1W 23.5mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.8 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix Si4214DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4214DY-T1-GE3Si4214DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 785pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23.5 毫欧 @ 7A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | SI4214DY-GE3 |
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