Datasheet下载- 型号： NTGD4161PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTGD4161PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGD4161PT1G价格参考。ON SemiconductorNTGD4161PT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTGD4161PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTGD4161PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTGD4161PT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双N沟道MOSFET阵列器件，常用于需要高效开关和空间紧凑设计的场景。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关及电池供电设备中的电源控制，支持高效能与低功耗设计。 2. 电机驱动：在小型电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关使用，控制电机的启停与方向。 3. 负载开关与继电器替代：用于替代机械继电器，在自动控制、工业设备中实现快速、可靠的电子开关功能。 4. LED照明控制：用于LED驱动电路中，控制LED的开关与调光，适用于汽车照明、背光控制等场景。 5. 工业自动化与控制电路：广泛应用于PLC、传感器模块、工业执行器等设备中，实现对各种负载的高效控制。 该器件采用小型封装（如TSOP），适合高密度PCB布局，且具备良好的热稳定性和可靠性，适用于汽车电子、消费类电子及工业控制等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTGD4161PT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 281pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 2.1A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A |
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