Datasheet下载- 型号： NVLJD4007NZTBG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVLJD4007NZTBG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVLJD4007NZTBG价格参考。ON SemiconductorNVLJD4007NZTBG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVLJD4007NZTBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVLJD4007NZTBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVLJD4007NZTBG 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET阵列器件，主要应用于需要高效、小型化设计的电源管理和负载开关场景。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高能效。 2. 电机控制：可用于小型电机或电磁阀的开关控制，提供快速响应和良好的热稳定性。 3. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）或工业I/O模块中作为高侧或低侧开关使用。 4. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块等对可靠性和空间要求较高的场合。 5. 消费电子：用于智能手机、平板电脑等便携设备中的电源管理电路，支持小型化和高效能设计。 该器件采用TSSOP封装，集成多个MOSFET，有助于减少外围元件数量，简化PCB布局，适合高密度电路设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 245MA WDFN6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVLJD4007NZTBG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.75nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 欧姆 @ 125mA， 4.5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 755mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 245mA |
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