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详细数据请看参考数据手册
- 型号： DMG1029SV-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMG1029SV-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG1029SV-7价格参考。Diodes Inc.DMG1029SV-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMG1029SV-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMG1029SV-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMG1029SV-7 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列，采用 SOT-363 小型封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压和高开关速度，适合用于高效、低功耗的电源管理与信号切换应用。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子产品：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源开关、负载开关或电池管理电路，利用其低功耗特性延长电池寿命。 2. DC-DC 转换器：在同步整流或电压调节电路中作为开关元件，提升转换效率。 3. 电机驱动与继电器驱动：用于小型直流电机或电磁继电器的控制，实现快速响应与低发热。 4. LED 背光驱动：在中小尺寸显示屏背光电路中作为电流开关，支持精准亮度调节。 5. 逻辑电平转换：配合数字电路实现不同电压域之间的信号转换，适用于 I²C、GPIO 等接口扩展。 DMG1029SV-7 因其高集成度（双MOSFET封装）和小尺寸，特别适合高密度PCB布局，广泛应用于消费电子、工业控制及通信模块等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 60V SOT563MOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 500 mA |
| Id-连续漏极电流 | 500 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG1029SV-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMG1029SV-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.45 W, 1 W |
| Pd-功率耗散 | 450 mW |
| Qg-GateCharge | 0.3 nC, 0.28 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.3 nC, 0.28 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 3.4 ns, 7.9 ns |
| 下降时间 | 9.9 ns, 11.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 30pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.7 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | DMG1029SV-7DITR |
| 典型关闭延迟时间 | 15.7 ns, 10.6 ns |
| 功率-最大值 | 450mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 80 mS, 50 mS |
| 汲极/源极击穿电压 | +/- 60 V |
| 漏极连续电流 | 500 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 500mA, 360mA |
| 系列 | DMG1029SV |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_renders/EPS300 1／2"BL48"BX.jpg)
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